| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IPB110N06LG |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Infineon Technologies | 168 | 询价QQ： |
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IPB110N06LG参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 包装数量：1 包装形式：剪切带 (CT) PDF资料下载： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：78A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 78A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 94µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：79nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 30V 功率 - 最大值：158W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 接线座 - 接头，1555860000 嵌入式 - 微控制EZ80F915050MOD 光学 - 光断续器HOA6981-L51 芯片电阻 - 表面RCL12185R62FKEK 接线板 - 接口模8155650000 矩形 - 配件967631-1 PMIC - 监控BU4918G-TR D-Sub，D 形8655MH3701BLF 端子 - 环形50845-2 功率，高于 2 安JS1AF-5V-F |
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